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架空绝缘电缆检测项目——1kV架空绝缘电缆检测项目与检测标准 1kV架空绝缘电缆检验项目 绝缘平均厚度、绝缘最薄处厚度 外径 电缆拉断力 导体电阻 电压试验 绝缘老化前抗张强度 绝缘老化前断裂伸长率 绝缘老化后抗张强度 绝缘老化后抗张强度变化率...查看详情>>
架空绝缘电缆检测项目——1kV架空绝缘电缆检测项目与检测标准
1kV架空绝缘电缆检验项目
收起百科↑ 最近更新:2018年11月28日
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:四川省成都市
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地:湖北省宜昌市
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:耦合器 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条
机构所在地:江苏省南京市
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:江苏省连云港市
机构所在地:河北省石家庄市